每經(jīng)記者 朱成祥    每經(jīng)編輯 楊夏    

8月8日，功率半導體龍頭英飛凌在馬來西亞居林正式啟動新晶圓廠一期項目的運營，一期將專注于碳化硅功率半導體的生產(chǎn)，并且也包括氮化鎵外延的生產(chǎn)。

在啟動儀式上，英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“當居林新晶圓廠第二期項目建設完成時，將成為世界上規(guī)模最大的、最具競爭力的200毫米碳化硅功率半導體晶圓廠。我們是功率半導體市場的領導者，并且很早就預見到了這一領域的技術發(fā)展。因此，我們及時并果斷地在寬禁帶半導體（領域），如碳化硅和氮化鎵上進行了投資。我們的內(nèi)部制造策略在實現(xiàn)差異化競爭中扮演了重要角色。”

他認為：“英飛凌的功率系統(tǒng)解決方案有助于實現(xiàn)綠色和高能效的出行。從硅到碳化硅的轉變對于電動汽車來說已經(jīng)在全面展開。另一個對低碳化至關重要的增長應用領域是可再生能源，從發(fā)電到輸電、儲能和用電，我們的產(chǎn)品使綠色能源成為可能。”

除了新能源領域，碳化硅也是降低AI數(shù)據(jù)中心能耗的關鍵。Jochen Hanebeck表示：“數(shù)據(jù)中心，尤其是對人工智能（數(shù)據(jù)中心）而言，目前它們迅速增長的電力消耗，給我們帶來了巨大的挑戰(zhàn)。今天，數(shù)據(jù)中心大約占全球電力消耗的2%。如果我們不采取行動，到2030年這一比例將上升到7%。根據(jù)不同應用提出的特定需求，客戶將需要采用基于碳化硅、硅和氮化鎵的不同解決方案。由于服務器的散熱空間有限，寬禁帶材料將在未來發(fā)揮重要作用。”

英飛凌在給到媒體的報告中也表示，氣候變化是這個時代面臨的最大挑戰(zhàn)，全球低碳化努力將迅速增加對功率半導體的需求。作為全球功率半導體市場的領導者，英飛凌不斷進行技術的創(chuàng)新迭代，推出基于硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的新一代功率半導體。這些芯片具有更高的功率密度和更高的能源轉換效率，可以實現(xiàn)更小的設計尺寸和更低的成本。為了滿足對這些芯片日益增長的需求，英飛凌正在投資建設全球最大、最高效的200毫米碳化硅功率半導體工廠。該晶圓廠一期項目已準備好于2024年開始量產(chǎn)。

圖片來源：英飛凌官網(wǎng)