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            中國工程院院士丁榮軍：第三代半導(dǎo)體技術(shù)未來十年復(fù)合增速將超20%
        
        
        
        
        
          
            
          
          
            2023-06-29 11:34:48
          
        
        

        
        

        
        
        

      
        
      


      
      
        
        

        

        
        
        每經(jīng)AI快訊，6月29日，在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會(huì)上，中國工程院院士丁榮軍表示，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)（包括Si-IGBT與SiC二極管相結(jié)合的技術(shù)）已經(jīng)開始獲得應(yīng)用，并具有很大的性能及市場潛力，將在未來十年獲得高達(dá)年復(fù)合20%以上的快速增長。（上證報(bào)）
        

        


        
      
        
    
        


    
    
        
      
           責(zé)編  張喜威
      
    
        

    

    
        
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